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      零件圖片(僅供參考)
      2SJ360(TE12L,F)
      規(guī)格參數(shù)
    3. 制造商產(chǎn)品型號(hào):2SJ360(TE12L,F)
    4. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    5. 描述:MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
    6. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    7. 產(chǎn)品系列:-
    8. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    9. FET類型:P 通道
    10. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    11. 漏源電壓(Vdss):60V
    12. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):1A(Ta)
    13. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
    14. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):730 毫歐 @ 500mA,10V
    15. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
    16. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 10V
    17. Vgs(最大值):±20V
    18. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):155pF @ 10V
    19. FET功能:-
    20. 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
    21. 工作溫度:150°C(TJ)
    22. 安裝類型:表面貼裝型
    23. 器件封裝:PW-MINI
    24. 2SJ360(TE12L,F),東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
    25. 只為成為您值得信賴的東芝半導(dǎo)體供應(yīng)商
      基本參數(shù):
    26. 電子零件型號(hào):2SJ360(TE12L,F)
    27. 原始制造廠商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
    28. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
    29. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    30. 點(diǎn)擊此處查詢2SJ360(TE12L,F)的技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    31. 全球現(xiàn)貨資源整合,最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    32. 東芝半導(dǎo)體(Toshiba)被熱門搜索和購(gòu)買的相關(guān)器件型號(hào)
      東芝半導(dǎo)體零部件采購(gòu)平臺(tái)
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      陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管
      TK200F04N1L,LXGQ
      晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
      DF5A6.2LJE,LM
      TVS - 二極管
      RN2706,LF
      晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
      TLP185(GB,SE
      光隔離器 - 晶體管,光電輸出
      1SS389(TL3,F,D)
      單二極管整流器
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      東芝公司(Toshiba)是日本最大的半導(dǎo)體制造商,2000年,東芝半導(dǎo)體的銷售額繼INTEL之后,位居世界第二位

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