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Toshiba

東芝半導體代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術資料下載

我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供東芝半導體 GT10J312(Q)及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：GT10J312(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：20A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A

功率-最大值：60W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：400ns/400ns

測試條件：300V，10A，100 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：200ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

GT10J312(Q)，東芝半導體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：GT10J312(Q)

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術標準參數(shù)：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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