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Toshiba

東芝半導(dǎo)體代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術(shù)資料下載

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：GT30J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：*

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈沖(Icm)：60A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A

功率-最大值：170W

開關(guān)能量：1mJ（開），800μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關(guān)）值：90ns/300ns

測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

GT30J121(Q)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：GT30J121(Q)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

點擊此處查詢GT30J121(Q)的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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