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Toshiba

東芝半導(dǎo)體代理商全球庫(kù)存查詢(xún)及產(chǎn)品技術(shù)資料下載

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：GT50J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類(lèi)型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：50A

電流-集電極脈沖(Icm)：100A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A

功率-最大值：240W

開(kāi)關(guān)能量：1.3mJ（開(kāi)），1.34mJ（關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：-

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：90ns/300ns

測(cè)試條件：300V，50A，13 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝：TO-3PL

GT50J121(Q)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：GT50J121(Q)

原始制造廠(chǎng)商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

點(diǎn)擊此處查詢(xún)GT50J121(Q)的技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）

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