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Toshiba

東芝半導(dǎo)體代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術(shù)資料下載

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

東芝半導(dǎo)體公司完整型號：GT60M303(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：-

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：460ns/600ns

Test Condition：-

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：2.5μs

封裝/外殼：TO-3PL

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（LH）

GT60M303(Q)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：GT60M303(Q)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單路IGBT

點(diǎn)擊此處查詢GT60M303(Q)的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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