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      零件圖片(僅供參考)
      GT60N321(Q)
      規(guī)格參數(shù)
    3. 制造商產(chǎn)品型號(hào):GT60N321(Q)
    4. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    5. 描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
    6. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 產(chǎn)品系列:-
    8. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    9. IGBT類型:-
    10. 電壓-集射極擊穿(最大值):1000V
    11. 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
    12. 電流-集電極脈沖(Icm):120A
    13. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,60A
    14. 功率-最大值:170W
    15. 開關(guān)能量:-
    16. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    17. 柵極電荷:-
    18. 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:330ns/700ns
    19. 測(cè)試條件:-
    20. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2.5μs
    21. 工作溫度:150°C(TJ)
    22. 安裝類型:通孔
    23. 封裝:TO-3PL
    24. GT60N321(Q),東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
    25. 只為成為您值得信賴的東芝半導(dǎo)體供應(yīng)商
      基本參數(shù):
    26. 電子零件型號(hào):GT60N321(Q)
    27. 原始制造廠商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
    28. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
    29. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    30. 點(diǎn)擊此處查詢GT60N321(Q)的技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    31. 全球現(xiàn)貨資源整合,最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    32. 東芝半導(dǎo)體(Toshiba)被熱門搜索和購買的相關(guān)器件型號(hào)
      東芝半導(dǎo)體零部件采購平臺(tái)
      TLP5752H(D4TP4,E
      隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器
      RN1964TE85LF
      晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
      TLP4202G(F)
      固態(tài)繼電器
      CMS16(TE12L,Q,M)
      二極管 - 整流器 - 單
      TMPM366FYXBG
      嵌入式 - 微控制器
      TLP174G(TP,F)
      固態(tài)繼電器
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      東芝公司(Toshiba)是日本最大的半導(dǎo)體制造商,2000年,東芝半導(dǎo)體的銷售額繼INTEL之后,位居世界第二位

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