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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：MT3S111(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：NPN

電壓-集射極擊穿（最大值）：6V

頻率-躍遷：11.5GHz

噪聲系數(shù)（dB，不同f時的典型值）：1.2dB @ 1GHz

增益：12dB

功率-最大值：700mW

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MT3S111(TE85L,F)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：MT3S111(TE85L,F)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

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