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東芝半導體代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術(shù)資料下載

我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供東芝半導體 RN1102MFV,L3F(B及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

東芝半導體公司完整型號：RN1102MFV,L3F(B

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：10k

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值）：500nA

頻率 - 躍遷：-

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商器件封裝：VESM

RN1102MFV,L3F(B，東芝半導體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：RN1102MFV,L3F(B

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單路﹐預偏壓式晶體管

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