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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：RN1117MFV,L3F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：10 kOhms

電阻器-發(fā)射極(R2)：4.7 kOhms

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-723

RN1117MFV,L3F，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：RN1117MFV,L3F

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

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