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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供東芝半導體 RN1130MFV,L3F及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：RN1130MFV,L3F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

零件狀態(tài)：停產

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：100 kOhms

電阻器-發(fā)射極(R2)：100 kOhms

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-723

RN1130MFV,L3F，東芝半導體（Toshiba）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：RN1130MFV,L3F

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術標準參數：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

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