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零件圖片(僅供參考)
規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào):RN1702,LF制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置零件狀態(tài):有源晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)電流-集電極(Ic)(最大值):100mA電壓-集射極擊穿(最大值):50V電阻器-基極(R1):10 千歐電阻器-發(fā)射極(R2):10 千歐不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA電流-集電極截止(最大值):500nA頻率-躍遷:250MHz功率-最大值:200mW安裝類型:表面貼裝型封裝:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353RN1702,LF,東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
邏輯 - 緩沖器,驅(qū)動(dòng)器,接收器,收發(fā)器
晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
