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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：RN1909FE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：47 千歐

電阻器-發(fā)射極(R2)：22 千歐

不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

頻率-躍遷：250MHz

功率-最大值：100mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：SOT-563，SOT-666

RN1909FE(TE85L,F)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：RN1909FE(TE85L,F)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

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