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Toshiba

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SSM3J66MFV,L3F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVI

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：800mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：390毫歐 @ 800mA，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：+6V，-8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：100pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作溫度：150°C

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：VESM

SSM3J66MFV,L3F，東芝半導體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SSM3J66MFV,L3F

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢SSM3J66MFV,L3F的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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