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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：SSM6L35FE(TE85L,F)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

系列：-

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180mA，100mA

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 50mA，4V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）

SSM6L35FE(TE85L,F)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：SSM6L35FE(TE85L,F)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管陣列

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