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規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào):TK12A80W,S4X制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:DTMOSIV零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):800V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):11.5A(Ta)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):450 毫歐 @ 5.8A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 570μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 300VFET功能:-功率耗散(最大值):45W(Tc)工作溫度:150°C安裝類型:通孔器件封裝:TO-220SISTK12A80W,S4X,東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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