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規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào):TK14E65W,S1X制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:DTMOSIV零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):13.7A(Ta)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):250 毫歐 @ 6.9A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.5V @ 690μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 300VFET功能:-功率耗散(最大值):130W(Tc)工作溫度:150°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:TO-220TK14E65W,S1X,東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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