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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

東芝半導體公司完整型號：TK20E60U,S1X(S

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1470pF @ 10V

功率 - 最大值：190W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220-3

TK20E60U,S1X(S，東芝半導體（Toshiba）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TK20E60U,S1X(S

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術標準參數(shù)：MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB

產品應用分類：單端場效應管

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