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      零件圖片(僅供參考)
      TK39N60W,S1VF
      規(guī)格參數(shù)
    3. 制造商產(chǎn)品型號:TK39N60W,S1VF
    4. 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
    5. 描述:MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
    6. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    7. 產(chǎn)品系列:DTMOSIV
    8. 零件狀態(tài):有源
    9. FET類型:N 通道
    10. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    11. 漏源電壓(Vdss):600V
    12. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):38.8A(Ta)
    13. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    14. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):65 毫歐 @ 19.4A,10V
    15. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.9mA
    16. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):110nC @ 10V
    17. Vgs(最大值):±30V
    18. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4100pF @ 300V
    19. FET功能:超級結(jié)
    20. 功率耗散(最大值):270W(Tc)
    21. 工作溫度:150°C(TJ)
    22. 安裝類型:通孔
    23. 器件封裝:TO-247
    24. TK39N60W,S1VF,東芝半導(dǎo)體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
    25. 只為成為您值得信賴的東芝半導(dǎo)體供應(yīng)商
      基本參數(shù):
    26. 電子零件型號:TK39N60W,S1VF
    27. 原始制造廠商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
    28. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
    29. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    30. 點(diǎn)擊此處查詢TK39N60W,S1VF的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    31. 全球現(xiàn)貨資源整合,最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    32. 東芝半導(dǎo)體(Toshiba)被熱門搜索和購買的相關(guān)器件型號
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      電源管理IC - 穩(wěn)壓器 - 線性
      TC74VHC373FT(EL,M)
      邏輯 - 鎖存器
      2SC5095-O(TE85L,F)
      晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
      TC74LCX138FT(EL)
      邏輯 - 信號開關(guān),多路復(fù)用器,解碼器
      TC7WH125FUTE12LF
      緩沖器,驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器芯片
      TLP2366(TPL,E
      光隔離器 - 邏輯輸出
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      東芝公司(Toshiba)是日本最大的半導(dǎo)體制造商,2000年,東芝半導(dǎo)體的銷售額繼INTEL之后,位居世界第二位

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