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Toshiba

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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供東芝半導體 TK46E08N1,S1X及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TK46E08N1,S1X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 80V 80A TO220

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8.4 毫歐 @ 23A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2500pF @ 40V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：103W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220

TK46E08N1,S1X，東芝半導體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TK46E08N1,S1X

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 80A TO220

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢TK46E08N1,S1X的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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