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Toshiba

東芝半導體代理商全球庫存查詢及產品技術資料下載

我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供東芝半導體 TK7J90E,S1E及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：TK7J90E,S1E

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 900V 7A TO3P

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：π-MOSVIII

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：900V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2 歐姆 @ 3.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 700μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：200W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-3P（N）

TK7J90E,S1E，東芝半導體（Toshiba）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：TK7J90E,S1E

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術標準參數：MOSFET N-CH 900V 7A TO3P

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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