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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TK8Q60W,S1VQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 8A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：DTMOSIV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：500 毫歐 @ 4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：570pF @ 300V

FET功能：超級結(jié)

功率耗散（最大值）：80W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I-PAK

TK8Q60W,S1VQ，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TK8Q60W,S1VQ

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 8A IPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢TK8Q60W,S1VQ的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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