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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TPC8031-H(TE12L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：13.3 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2150pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8031-H(TE12L,Q)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：TPC8031-H(TE12L,Q)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

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