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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TPC8213-H(TE12LQ,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 2.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：625pF @ 10V

功率-最大值：450mW

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）

TPC8213-H(TE12LQ,M，東芝半導體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TPC8213-H(TE12LQ,M

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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