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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TPCC8008(TE12L,QM)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSIV

零件狀態(tài)：最後搶購

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：25A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.8 毫歐 @ 12.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1A

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：700mW（Ta），30W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）

TPCC8008(TE12L,QM)，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TPCC8008(TE12L,QM)

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢TPCC8008(TE12L,QM)的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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