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Toshiba

東芝半導(dǎo)體代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術(shù)資料下載

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TPH1R306PL,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：U-MOSIX-H

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.34mOhm @ 50A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：91nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：8100pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：960mW（Ta），170W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SOP Advance（5x5）

TPH1R306PL,L1Q，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TPH1R306PL,L1Q

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

點(diǎn)擊此處查詢TPH1R306PL,L1Q的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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