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規(guī)格參數
制造商產品型號：TPN1600ANH,L1Q制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：U-MOSVIII-H零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：17A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 8.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta），42W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）TPN1600ANH,L1Q，東芝半導體（Toshiba）產品一站式供應商。
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