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Toshiba

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：TPN2R203NC,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：U-MOSVIII

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.2 毫歐 @ 22.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2230pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：700mW（Ta），42W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）

TPN2R203NC,L1Q，東芝半導體（Toshiba）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：TPN2R203NC,L1Q

原始制造廠商：東芝半導體（Toshiba）

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢TPN2R203NC,L1Q的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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