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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：TW070J120B,S1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：*

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 18A，20V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.8V @ 20mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 20V

Vgs（最大值）：±25V，-10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 800V

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

功率耗散（最大值）：272W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-3P（N）

TW070J120B,S1Q，東芝半導(dǎo)體（Toshiba）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：TW070J120B,S1Q

原始制造廠商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢TW070J120B,S1Q的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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