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規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號:XPH2R106NC,L1XHQ制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):110A(Ta)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):2.1mOhm @ 55A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):104nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):6900pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):960mW(Ta),170W(Tc)工作溫度:175°C安裝類型:表面貼裝型器件封裝:8-SOP Advance(5x5)XPH2R106NC,L1XHQ,東芝半導體(Toshiba)產(chǎn)品一站式供應商。
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