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東芝半導(dǎo)體宣布推出一款集成最新開(kāi)發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片 MG800FXF2YMS3
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝半導(dǎo)體)今日宣布,面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開(kāi)發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
為達(dá)到175℃的通道溫度,該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。
應(yīng)用
用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備
特性
漏源額定電壓:VDSS=3300V
漏極額定電流:ID=800A雙通道
寬通道溫度范圍:Tch=175℃
低損耗:
Eon=250mJ(典型值)
Eoff=240mJ(典型值)
VDS(on)sense=1.6V(典型值)
低雜散電感:Ls=12nH(典型值)
高功率密度的小型iXPLV封裝

更多東芝半導(dǎo)體官網(wǎng)行業(yè)動(dòng)態(tài)(2026年1月23日更新)

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東芝公司(Toshiba)是日本最大的半導(dǎo)體制造商,2000年,東芝半導(dǎo)體的銷售額繼INTEL之后,位居世界第二位
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